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2SB1203	文件：135.25 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications Features · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High current and high fT. · Excellent linearity of hFE. · Fast switching speed. · Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller. Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters, and 文件：135.25 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1203	文件：336.8 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High current and high fT • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-used set smaller • Low collector-to-emitter saturation voltage • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device 文件：336.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1203	文件：324.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High current and high fT ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Excellent linearity of hFE ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：324.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1203	文件：305.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High current and high fT ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Excellent linearity of hFE ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：305.02 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1203	文件：47.57 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Switching Applications ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● High current and high fT ● Fast switching speed ● Complementary to 2SD1803 文件：47.57 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1203	文件：838.87 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Features Low VCE(sat), high current and high fT, excellent linearity of hFE, fast switching time. Applications Relay drivers, high-speed inverters, general high-current switching applications. 文件：838.87 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1203	文件：519.36 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications 文件：519.36 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1203	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor 50V, (??5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，-50V，-5A, 低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA 2SB1203 is a Bipolar Transistor, -50V, -5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FAfor High-Current Switching Application. • Low collector-to-emitter saturation voltage\n• High current and high fT\n• Excellent linearity of hFE\n• Fast switching speed\n• Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket

晶体管资料

型号：
2SB1203
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1244,2SA1385,2SA1648,2SB933,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
60
htest：
130000000
atest：
5
wtest：
20

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.55
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
130
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1203供应商更新时间2026-1-18 11:03:00

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