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2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1184	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	Powertransistor Features ●LowVCE(sat). ●PNPsilicontransistor. ●Epitaxialplanartype	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1184	文件：244.61 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1184	文件：95.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(−60V,−3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1184	文件：470.55 Kbytes Page：4 Pages	PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS Features: *LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A)	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SB1184	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1184	文件：333.09 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowVCE(sat) •Smallandslimpackage •Complementsthe2SD1760/2SD1864 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1184	文件：1.08954 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SB1184	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1184	文件：730.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1184-P	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SB1184-P	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1184-P	文件：672.73 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SB1184-Q	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SB1184-Q	文件：672.73 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SB1184-Q	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1184-Q	文件：1.2499 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1184-R	文件：672.73 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司

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晶体管资料

型号：
2SB1184(F5)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
70MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1876,2SB906,2SB929,2SB1202,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
H-61
vtest：
60
htest：
70000000
atest：
3
wtest：
15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	2SB1184(R/Q)	ROHM	2017+	SOT-252	48520	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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无锡固电半导体股份有限公司	2SB1184F5	isc	2024	TO-252/DPAK	3150	国产品牌isc,可替代原装	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	2SB1184FRATLQ	ROHM	2023+	TO252	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价

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