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2SB1218A	文件：48.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SD1819A ■ Features ● High foward current transfer ratio hFE. ● S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 文件：48.12 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1218A	文件：301.33 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES • High DC Current Gain • Complementary to 2SD1819A APPLICATIONS • General Purpose Amplification 文件：301.33 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB1218A	文件：108.59 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Paner Transistors FEATURES • High DC Current Gain • Complementary to 2SD1819A APPLICATIONS • General Purpose Amplification 文件：108.59 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1218A	文件：1.89138 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain Complementary to 2SD1819A APPLICATIONS General Purpose Amplification 文件：1.89138 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB1218A	文件：134.52 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 150 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: -100 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: -45 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：134.52 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1218A	文件：68.82 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 150 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: -100 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: -45 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：68.82 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SB1218A	文件：134.52 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) 文件：134.52 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1218A	文件：694.14 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-323 Plastic Package 文件：694.14 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1218A	文件：108.6 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Paner Transistors 文件：108.6 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1218A	文件：223.02 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：223.02 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

晶体管资料

型号：
2SB1218A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1576,2SA1586,2SA1603,2SA1622,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
45
htest：
80000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.15
IC(A)：
0.1
VCBO(V)：
45
VCEO(V)：
45
VEBO(V)：
7
hFEMin：
160
hFEMax：
460
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.1
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.01
Package：
SOT-323

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