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2SB1218AW

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:203.21 Kbytes 页数:4 Pages

BILIN

银河微电

2SB1218A

Small Signal Transistor

Secos

喜可士

2SB1218A

双极型晶体管

LGE

鲁光电子

2SB1218A

双极型晶体管

Galaxy

银河微电

2SB1218AQL

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.1A SMINI3

PANASONIC

松下

2SB1218ARL

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.1A SMINI3

PANASONIC

松下

2SB1218ASL

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.1A SMINI3

PANASONIC

松下

晶体管资料

  • 型号:

    2SB1218A

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    80MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SA1576,2SA1586,2SA1603,2SA1622,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    45

  • htest:

    80000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

技术参数

  • PCM(W):

    0.15

  • IC(A):

    0.1

  • VCBO(V):

    45

  • VCEO(V):

    45

  • VEBO(V):

    7

  • hFEMin:

    160

  • hFEMax:

    460

  • hFE@VCE(V):

    10

  • hFE@IC(A):

    0.002

  • VCE(sat)(V):

    0.5

  • VCE(sat)\u001E@IC(A):

    0.1

  • VCE(sat)\u001E@IB(A):

    0.01

  • Package:

    SOT-323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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300000
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