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2SB1240	文件：116.67 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：153.4 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB124040ML	文件：18 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ➤2SB124040MLisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Lowpowerlosses,highefficiency; ➤Guardringconstructionfortransientprotection; ➤HighESDcapability; ➤Highsurgecapability; ➤Packagedproductsarewidelyuse	SILANSilan 士兰
2SB124060ML	文件：17.95 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ➤2SB124060MLisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Lowpowerlosses,highefficiency; ➤Guardringconstructionfortransientprotection; ➤HighESDcapability; ➤Highsurgecapability; ➤Packagedproductsarewidelyuse	SILANSilan 士兰
2SB1240P	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240Q	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1240R	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1241	文件：80.41 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor Features 1)Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=−80V,IC=−1A 2)GoodhFElinearity. 3)LowVCE(sat). 4)Complementsthe2SD1898/2SD1863/2SD1733.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB124100ML	文件：17.88 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ➤2SB124100MLisaschottkybarrierdiodechips fabricatedinsiliconepitaxialplanartechnology; ➤Lowpowerlosses,highefficiency; ➤Guardringconstructionfortransientprotection; ➤HighESDcapability; ➤Highsurgecapability; ➤Packagedproductsarewidelyuse	SILANSilan 士兰
2SB1243	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1243	文件：147.11 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1244	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICONPNPEPITAXIAL LOWFREQUENCYHIGHVOLTAEAMPLIFIER	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
2SB1245	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICONPNPEPITAXIAL LOWFREQUENCYHIGHVOLTAEAMPLIFIER	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司

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晶体管资料

型号：
2SB1240
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1428,2SB892,2SB911,2SB1434,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
40
htest：
999900
atest：
2
wtest：
1

详细参数

型号：
2SB124
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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