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2SB1282	文件：430.39 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(짹 4A PNP) Darlington Transistor ± 4A PNP 文件：430.39 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SB1283	文件：412.4 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(-7A PNP) Collector to Base Voltage Vcbo -100V Collector to Emitter Voltage Vceo -100V Emitter to Base Voltage Vebo -7V 文件：412.4 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SB1284	文件：429.65 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(-10A PNP) 文件：429.65 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SB1284	文件：188.33 Kbytes Page：2 Pages	Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= -100V(Min.) DESCRIPTION • High DC C urrent Gain- : hFE= 1500(Min.)@IC= -5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -100V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -1.5V(Max)@IC= -5A APPLICATIONS • High power switching applications. • Hammer drive, pulse motor drive ap 文件：188.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1285	文件：415.48 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(-15A PNP) Darlington Transistor -15A PNP 文件：415.48 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SB1286	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1287	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FP；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1288	文件：37.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● Large collector current IC. ● Allowing supply with the radial taping. 文件：37.62 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1289	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1283	文件：256.76 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor 文件：256.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SB1282
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT60BF,2SB950A,2SB974,2SB1024,2SB1194,2SB1381,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-26
vtest：
100
htest：
50000000
atest：
4
wtest：
25

技术参数

Type：
PNP
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
1500@1A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@2mA@1AV
Configuration：
Single

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