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2SB1283	文件：412.4 Kbytes Page：9 Pages	Darlington Transistor(-7A PNP) Collector to Base Voltage Vcbo -100V Collector to Emitter Voltage Vceo -100V Emitter to Base Voltage Vebo -7V 文件：412.4 Kbytes 页数：9 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SB1283	文件：256.76 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor 文件：256.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1316TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	PNP	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆
2SB1424T100R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆
2SB1691WL-TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SB1283
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD640F,2SB886,2SB975,2SB1020,2SB1099,2SB1344,2SB1431,2SB11195,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-26
vtest：
100
htest：
50000000
atest：
7
wtest：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1283供应商更新时间2026-1-17 10:20:00

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