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2SB1341	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1341	文件：245.59 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A) APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：245.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1341	文件：126.61 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -2A) APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：126.61 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1341	文件：104.63 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For low frequency power amplifier and power driver applications 文件：104.63 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1341	文件：106.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：106.2 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1341	文件：300 bytes Page：1 Pages	BJT 双极性三极管	SPTECH 质超微	SPTECH

晶体管资料

型号：
2SB1341
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
12MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD254B,BD718,BDW24B,BDW54B,BDW64B,2SB676,2SB885,2SB950,2SB1087,2SB1102,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β=3000
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
12000000
atest：
4
wtest：
40

技术参数

IC(A)：
-4
Vcbo(V)：
-80
Vceo(V)：
-80
HFE：
1K-10K
封装：
TO-220
备注：
Darlington

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