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2SB1350	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1351	文件：25.25 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Printer Head, Solenoid, Relay, Motor and General Purpose) Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor Application : Driver for Printer Head, Solenoid, Relay, Motor and General Purpose 文件：25.25 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SB1351	文件：255.02 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@IC= -10A • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Driver for printer head solenoid, relay and motor and general purpose 文件：255.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1352	文件：25.5 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Printer Head, Solenoid, Relay, Motor and General Purpose) Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor Application : Driver for Printer Head, Solenoid, Relay, Motor and General Purpose 文件：25.5 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SB1353	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：T114；Package：HRT；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1353	文件：128 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Good Linearity of hFE • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • Complement to Type 2SD2033 APPLICATIONS • Designed for use in high voltage driver applications. 文件：128 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1353	文件：1.07505 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Features High VCEO,SOA, High transition frequency and small Cob. Applications power amplifier applications. 文件：1.07505 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1353	文件：103.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Good Linearity of hFE • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • Complement to Type 2SD2033 APPLICATIONS • Designed for use in high voltage driver applications. 文件：103.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1353A	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：T114；Package：HRT；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1355	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：T114；Package：HRT；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SB1351
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT74AF,BDT74BF,BDT74CF,BDW45,BDW94A,2SB1100,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=2000
图片代号：
B-97
vtest：
60
htest：
130000000
atest：
12
wtest：
30

产品属性

产品编号：
2SB1351
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 20mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 10A，4V
频率 - 跃迁：
130MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
TRANS PNP DARL 60V 12A TO220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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