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2SB1390	文件：96.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：96.83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1390	文件：130.039 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：130.039 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1390	文件：36.06 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：36.06 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1390	文件：150.35 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Triple Diffused 文件：150.35 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1390	文件：131.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：131.66 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1390	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM	NJS	NJS
2SB139040ML	文件：18 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ► 2SB139040ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ► Low power losses, high efficiency; ► Guard ring construction for transient protection; ► High ESD capability; ► High surge capability; ► Packaged products are widely use 文件：18 Kbytes 页数：1 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
2SB139060ML	文件：17.83 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ► 2SB139060ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ► Low power losses, high efficiency; ► Guard ring construction for transient protection; ► High ESD capability; ► High surge capability; ► Packaged products are widely use 文件：17.83 Kbytes 页数：1 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
2SB139040ML	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管芯片	Silan 士兰微	Silan
2SB139060ML	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管芯片	Silan 士兰微	Silan

晶体管资料

型号：
2SB1390
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD646F,BDT62F,2SA1719,2SB1021,2SB1022,2SB1099,2SB1224,2SB1344,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
25

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
1000@4A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
8A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@8mA@4A3.5@80mA@8A
Configuration：
Single

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更多2SB1390供应商更新时间2025-12-23 16:01:00

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