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2SB1400	文件：35.13 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：35.13 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1400	文件：95.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications 文件：95.98 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1400	文件：128.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications 文件：128.88 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1401	文件：34.35 Kbytes Page：5 Pages	Low frequency power amplifier Application Low frequency power amplifier 文件：34.35 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1402	文件：129.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：129.08 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1402	文件：245.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：245.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1402	文件：128.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V,lc= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：128.56 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1403	文件：129.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：129.32 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1403	文件：96.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：96.85 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1404	文件：244.43 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：244.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SB1409L,S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
240MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1552,
最大耗散功率：
18W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
180
htest：
240000000
atest：
1.5
wtest：
18

技术参数

NPN/PNP：
PNP
hFE min.：
60
hFE max.：
200
Pc (W)：
18
Production Status：
EOL announced

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1409	HITACHI	24+	TO-252	36800		询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	2SB1409	HITACHI/日立	25+	TO251	9800	全新原装现货,假一赔十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SB1409	HITACHI/日立	23+	TO251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1409	HITACHI	22+	TO-251	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SB1409	RENESAS/瑞萨	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳庞田科技有限公司	2SB1409	HITACHI	2023+环保现货	TO-252	18000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1409	RENESAS	23+	SOT252	4000	正品原装货价格低	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SB1409	HITACHI	2023+	TO-252	50000	原装现货	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	2SB1409	HITACHI	23+24	SOT-252	29850	原装正品优势渠道价格合理.可开13%增值税发票	询价
上海金庆电子技术有限公司	2SB1409	HITACHI	04+	SOT-252	818		询价

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