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2SB1400	文件：35.13 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：35.13 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1400	文件：95.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications 文件：95.98 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1400	文件：128.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications 文件：128.88 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1401	文件：34.35 Kbytes Page：5 Pages	Low frequency power amplifier Application Low frequency power amplifier 文件：34.35 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1402	文件：129.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：129.08 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1402	文件：245.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：245.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1402	文件：128.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V,lc= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：128.56 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1403	文件：129.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：129.32 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1403	文件：96.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：96.85 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1404	文件：244.43 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, IC= -1.5A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：244.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SB1400
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD652F,BDT62F,2SB1193,2SB1340,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
120
htest：
999900
atest：
6
wtest：
25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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