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2SB1419	文件：243.96 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)cEo=-160V(Min) • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Power amplifier applications • Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier 文件：243.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1419	文件：131.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)cEo=-160V(Min) • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Power amplifier applications • Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier 文件：131.88 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1419	文件：180.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PL package • Wide area of safe operation • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low frequency and high power amplifier applications 文件：180.46 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1419	文件：182.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：182.07 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SB1419
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1301,2SA1302,2SB1162,2SB1347,
最大耗散功率：
120W
放大倍数：
图片代号：
B-62
vtest：
160
htest：
999900
atest：
12
wtest：
120

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