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2SB1429	文件：111 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Features • Complementary to 2SD2155 • Recommend for 100W High Fidelity Audio Frequency - Amplifier Output Stage 文件：111 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1429	文件：174.92 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：174.92 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1429	文件：204.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：204.84 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1429	文件：132.99 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Current Capability • High Power Dissipation • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo=-180V(Min) • Complement to Type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications 文件：132.99 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1429	文件：313.25 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：313.25 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SB1429	文件：224.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PL package • Complement to type 2SD2155 APPLICATIONS • Power amplifier applications • Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：224.69 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1429	文件：226.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：226.35 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1429	文件：300 bytes Page：1 Pages	低电压双极晶体管	Panjit 強茂	Panjit
2SB1429_R1_00001	文件：313.25 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B29；Package：SOT-23；PNP Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：313.25 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
2SB1429_R2_00001	文件：313.25 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B29；Package：SOT-23；PNP Low Vce(sat) Transistor Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：313.25 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

晶体管资料

型号：
2SB1429
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
HIFI_低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1302,2SA1553,2SB1317,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
B-53
vtest：
180
htest：
10000000
atest：
15
wtest：
150

技术参数

Type：
PNP
VCBO Max.[V]：
-20
VCEO Max.[V]：
-20
IC Max.[mA]：
-3
VCE(sat)Max.[V]：
-0.3
VCE(sat)Max.[IC.mA]：
-3000
VCE(sat)Max.[IB.mA]：
-0.3
hFE(Min)：
200
hFE(Max)：
500
hFE(VCE[V])：
-2
hFE(IC[mA])：
-500
PTOT Max.[mW]：
1250
fT Min.[MHz]：
160
Package：
SOT-23

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