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2SB1429	文件：224.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SD2155 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1429	文件：204.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SD2155 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SB1429	文件：174.92 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SD2155 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1429	文件：111 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION TransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) PowerAmplifierApplications Features •Complementaryto2SD2155 •Recommendfor100WHighFidelityAudioFrequency-AmplifierOutputStage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SB1429	文件：132.99 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •HighCurrentCapability •HighPowerDissipation •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-180V(Min) •ComplementtoType2SD2155 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2SB1429	文件：313.25 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EU directive GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
2SB1429	文件：226.35 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1429_R1_00001	文件：313.25 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EU directive GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
2SB1429_R2_00001	文件：313.25 Kbytes Page：5 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EU directive GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std. (HalogenFree)	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
2SB1429_15	文件：204.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SB1429_2014	文件：204.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SB1429_R1_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 3A SOT23	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司

晶体管资料

型号：
2SB1429
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
HIFI_低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1302,2SA1553,2SB1317,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
B-53
vtest：
180
htest：
10000000
atest：
15
wtest：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1429	PANJIT/强茂	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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