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2SB1429分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SB1429

参数属性

2SB1429 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 3A SOT23

功能描述

PNP Low Vce(sat) Transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

313.25 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

PANJIT

中文名称

強茂

网址

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更新时间

2025-11-3 15:06:00

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2SB1429规格书详情

特性 Features

 Silicon PNP epitaxial type

 Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A

 High collector current capability

 Excellent DC current gain characteristics

 Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU

directive

 Green molding compound as per IEC61249 Std.

(Halogen Free)

产品属性

  • 产品编号:

    2SB1429_R1_00001

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    160MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 3A SOT23

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