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2SB1429_R1_00001分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SB1429_R1_00001 |
| 参数属性 | 2SB1429_R1_00001 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 3A SOT23 |
| 功能描述 | PNP Low Vce(sat) Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
313.25 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Pan Jit International Inc. |
| 企业简称 |
PANJIT【強茂】 |
| 中文名称 | 強茂股份有限公司官网 |
| 原厂标识 | PANJIT |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SB1429_R1_00001价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SB1429_R1_00001规格书详情
2SB1429_R1_00001属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由強茂股份有限公司制造生产的2SB1429_R1_00001晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
Silicon PNP epitaxial type
Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A
High collector current capability
Excellent DC current gain characteristics
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
directive
Green molding compound as per IEC61249 Std.
(Halogen Free)
产品属性
更多- 产品编号：
2SB1429_R1_00001
- 制造商：
Panjit International Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
160MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23
- 描述：
TRANS PNP 20V 3A SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
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NEC |
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TO220 |
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