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2SB1429_R2_00001中文资料強茂数据手册PDF规格书

2SB1429_R2_00001
厂商型号

2SB1429_R2_00001

功能描述

PNP Low Vce(sat) Transistor

丝印标识

B29

封装外壳

SOT-23

文件大小

313.25 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Pan Jit International Inc.
企业简称

PANJIT強茂

中文名称

強茂股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:49:00

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2SB1429_R2_00001规格书详情

特性 Features

 Silicon PNP epitaxial type

 Low Vce(sat) -0.3V(max)@Ic/Ib=-3A/-0.3A

 High collector current capability

 Excellent DC current gain characteristics

 Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU

directive

 Green molding compound as per IEC61249 Std.

(Halogen Free)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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