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2SB1389	文件：125.35 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：125.35 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1389	文件：150.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：150.5 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1389	文件：129.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：129.3 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1389	文件：130.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in low frequency power amplifier applications 文件：130.38 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1389	文件：35.31 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier 文件：35.31 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1389	文件：149.55 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Triple Diffused 文件：149.55 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1389	文件：132 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：132 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1389	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors>Switching/Bipolar	Renesas 瑞萨	Renesas
2SB1389_15	文件：150.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.5 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1389_2014	文件：150.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.5 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB1389
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT60F,2SA1718,2SB1024,2SB1223,2SB1257,2SB1342,2SB1430,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
25

详细参数

型号：
2SB1389
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1389供应商更新时间2025-12-23 16:01:00

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