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2SB1391	文件：95.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For power switching applications 文件：95.86 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1391	文件：128.759 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • For power switching applications 文件：128.759 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1391	文件：35.77 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Application Power switching 文件：35.77 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SB1391	文件：150.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon PNP Triple Diffused 文件：150.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1391	文件：130.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：130.38 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1391	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors>Switching/Bipolar	Renesas 瑞萨	Renesas
2SB139100MA	文件：20.3 Kbytes Page：1 Pages	LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ➤ 2SB139100MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Due to special schottky barrier structure, the chips have very low reverse leakage current ( typical IR=0.002mA@ Vr=100V ) and maximum 150°C opera 文件：20.3 Kbytes 页数：1 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
2SB139100MA	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管芯片	Silan 士兰微	Silan

晶体管资料

型号：
2SB1391
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD652F,BDT62CF,2SB1020,2SB1228,2SB1259,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
120
htest：
999900
atest：
8
wtest：
25

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更多2SB1391供应商更新时间2025-12-23 16:01:00

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