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2SB1412	文件：458.52 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerAmplifierApplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SB1412	文件：265.26 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1205-usedsetsmaller •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifie	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1412	文件：818.25 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgaincharacteristics,complementsthe2SD2118. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SB1412	文件：107.17 Kbytes Page：5 Pages	Low Frequency Transistor(-20V,-5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1412	文件：249.13 Kbytes Page：4 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features: ExcellentDCCurrentGainCharacteristics LowVCE(Sat)	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SB1412	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412	文件：40.09 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ●LowVCE(sat). ●PNPsilicontransistor.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1412	文件：209.53 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Low Frequency Transistor Features 1)LowVCE(sat). 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics 3)Complementsthe2SD2118	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1412	文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages	Low frequency transistor (−20V, −5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1412	文件：192.32 Kbytes Page：4 Pages	Low frequency transistor (−20V,−5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1412	文件：174.96 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412L-TN3-B-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412L-TN3-C-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412L-TN3-E-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412L-TN3-F-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412-TN3-B-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412-TN3-C-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412-TN3-E-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412-TN3-F-R	文件：100.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1412isanepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1412_09	文件：192.32 Kbytes Page：4 Pages	Low frequency transistor (−20V,−5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团

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晶体管资料

型号：
2SB1412
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1242,2SA1385,2SB1205,2SB1447,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
H-65
vtest：
20
htest：
999900
atest：
10
wtest：
10

详细参数

型号：
2SB1412
制造商：
ROHM Semiconductor
功能描述：
5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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