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2SB1360	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1361	文件：51.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification) SiliconPNPtriplediffusionplanartype Forhighpoweramplification Complementaryto2SD2052 ■Features ●SatisfactoryfowardcurrenttransferratiohFEvs.collectorcurrentICcharacteristics ●Wideareaofsafeoperation(ASO) ●HightransitionfrequencyfT ●Full-packpackagewhichca	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SB1361	文件：122.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD2052 •Hightransitionfrequency •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplification	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1361	文件：248.94 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-150V(Min) •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2052 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1361	文件：126.55 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-150V(Min) •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2052 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2SB1362	文件：138.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·Wideareaofsafeoperation ·Complementtotype2SD2053 APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1362	文件：138.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·Wideareaofsafeoperation ·Complementtotype2SD2053 APPLICATIONS ·Forhighpoweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1366	文件：253.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2058 •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=-1.0V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Withgeneralpurposeapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1366	文件：189.12 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2058 •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=-1.0V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Withgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1366	文件：131.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-60V(Min) •CollectorPowerDissipation-:Pc=25W@Tc=25°C •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sa.f-1.0V(Max)@(lc=-2A,IB=-0.2A) •ComplementtoType2SD2058 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2SB1367	文件：163.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SD2059 ·Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=-2.0V(Max)atIC=-4A,IB=-0.4A ·Collectorpowerdissipation: PC=30W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Withgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1367	文件：239.88 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SD2059 ·Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=-2.0V(Max)atIC=-4A,IB=-0.4A ·Collectorpowerdissipation: PC=30W(TC=25) APPLICATIONS ·Withgeneralpurposeapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1368	文件：127.26 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-80V(Min) •CollectorPowerDissipation-:PC=25W@Tc=25°C •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.7V(Max)@(lc=-3A,IB=-0.3A) •ComplementtoType2SD2060 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2SB1368	文件：243.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2060 •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=-1.7V(Max)atIC=-3A,IB=-0.3A •Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Withgeneralpurposeapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1368	文件：170.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2060 •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=-1.7V(Max)atIC=-3A,IB=-0.3A •Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Withgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1369	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1369	文件：90.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Highcollectorpowerdissipation ·Highcurrentcapability APPLICATIONS ·Forgeneralpurposeapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1369	文件：129.539 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Highcollectorpowerdissipation ·Highcurrentcapability APPLICATIONS ·Forgeneralpurposeapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1361	文件：124.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1362	文件：140.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.

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晶体管资料

型号：
2SB1361
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
9A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD246D,2SA1673,2SA1186,2SA1386,2SA1386A,2SB817,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
B-26
vtest：
150
htest：
15000000
atest：
9
wtest：
100

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB136供应商更新时间2024-4-20 16:00:00

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