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2SB1370	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FP；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1370	文件：42.73 Kbytes Page：1 Pages	丝印：EF；Package：TO-220FN；Power Transistor(-60V, -3A) Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：42.73 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1370	文件：251.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.3V(Typ.)@IC= -2A • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for power switching applications 文件：251.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1370	文件：1.41846 Mbytes Page：2 Pages	TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Breakdown Voltage High ● Reverse Cut-off Current Small ● Saturation Voltage Low ● Collector Power dissipation PCM : 2 W (Tamb=25.) 30 W (Tcase=25.) 文件：1.41846 Mbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1370	文件：129.4 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.3V(Typ.)@IC= -2A • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for power switching applications 文件：129.4 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1370	文件：111.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • PC=2W(Ta=25°C) /30W(TC=25°C) • Low collector saturation voltage • Wide area of safe operation 文件：111.87 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1370	文件：1.05242 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Features Low saturation voltage, excellent DC current gain characteristics. Applications Audio frequency power amplifier applications. 文件：1.05242 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1370	文件：113.44 Kbytes Page：3 Pages	silicon PNP Power Transistors 文件：113.44 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1370	文件：359.12 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：359.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1370	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ

晶体管资料

型号：
2SB1370
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1488,2SA1635,2SB941,2SB1015,2SB1094,2SB1133,2SB1135,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-38
vtest：
60
htest：
15000000
atest：
3
wtest：
30

技术参数

Polarity：
PNP
PCM(W)：
2
IC(A)：
-3
VCBO(V)：
-60
VCEO(V)：
-60
VEBO(V)：
-5
hFEMin：
100
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
-5
hFE@IC(A)：
-0.5
VCE(sat)(V)：
-1.5
VCE(sat)@IC(A)：
-2
VCE(sat)@IB(A)：
-0.2
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1370供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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