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2SB1308	文件：61.48 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-50V, -3A) Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = −0.45V (Max.) at IC/IB = −1.5A / −0.15A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD1963. 文件：61.48 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1308	文件：151.95 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor FEATURES ● Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-0.45(Max) at IC/IB=-1.5A/-0.15A ● Excellent DC current gain characterisitics. ● Complementary the 2SD1963. 文件：151.95 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SB1308	文件：189.49 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR FEATURES ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：189.49 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB1308	文件：1.5223 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：1.5223 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1308	文件：50.99 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor ■ Features ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：50.99 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1308	文件：134.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：134.56 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1308	文件：482.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Power Transistor ● Excellent DC current Gain ● Low Collector-emitter Saturation Voltage ● Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H 文件：482.13 Kbytes 页数：3 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
2SB1308	文件：66.51 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.51 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SB1308	文件：437.12 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BFP；Package：SOT-89；Power Transistor(-50V,-3A) FEATURES Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-0.45(Max) at IC/IB=-1.5A/-0.15A Excellent DC current gain characterisitics. Complementary the 2SD1963. 文件：437.12 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB1308	文件：300 bytes Page：1 Pages	普通三极管	FOSAN 富信半导体	FOSAN

晶体管资料

型号：
2SB1308
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1073,2SB1302,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
120000000
atest：
5
wtest：
0.75

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-20.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-3.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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