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2SB1240	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：124.57 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：153.4 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：153.4 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：116.67 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V,2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements 2SD1758 / 2SD1862. 文件：116.67 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(32V,2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. 文件：134.9 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	丝印：TV2；Package：ATV；Medium power Transistor(-32V, -2A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：93.7 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240	文件：820.82 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package 文件：820.82 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN

晶体管资料

型号：
2SB1240
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1428,2SB892,2SB911,2SB1434,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
40
htest：
999900
atest：
2
wtest：
1

详细参数

型号：
2SB1240
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1240供应商更新时间2026-4-18 14:00:00

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