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2SB124060ML	文件：17.95 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ➤ 2SB124060ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Low power losses, high efficiency; ➤ Guard ring construction for transient protection; ➤ High ESD capability; ➤ High surge capability; ➤ Packaged products are widely use 文件：17.95 Kbytes 页数：1 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
2SB1240P	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240Q	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1240R	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1241	文件：80.41 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TV2；Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733. 文件：80.41 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB124100ML	文件：17.88 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION ➤ 2SB124100ML is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; ➤ Low power losses, high efficiency; ➤ Guard ring construction for transient protection; ➤ High ESD capability; ➤ High surge capability; ➤ Packaged products are widely use 文件：17.88 Kbytes 页数：1 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
2SB1243	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (-60V, -3A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：129.36 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1243	文件：147.11 Kbytes Page：4 Pages	丝印：QR；Package：ATV；Power Transistor (-60V, -3A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：147.11 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1244	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER 文件：356.38 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1245	文件：356.38 Kbytes Page：2 Pages	LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER SILICON PNP EPITAXIAL LOW FREQUENCY HIGH VOLTAE AMPLIFIER 文件：356.38 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SB1245
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF423A,BF436,BF491,2SA879,2SA1321,2SA1370,2SQA1371,2SA1372,2SA1373,2SA1376A,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
200
htest：
140000000
atest：
0.1
wtest：
0.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1246	ISC/固电	23+	TO-251IPAK	139000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1246	SANYO	23+	SOT252	4000	正品原装货价格低	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SB1246-TL-E	SANYO/三洋	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SB1247	SANYO	24+		54000		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1247	SANKEN	TO-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SB1247	SANKEN	25+	TO-252	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市利加科技有限公司	2SB1250	SANYO	16+	TO-220	100000	全新原装现货	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	2SB12520Q	Panasonic	20+	N/A	899	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	2SB12520Q	PANASONIC	25+	TO-220	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SB12520Q	Panasonic Electronic Component	2022+	TO-220F-A1	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

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