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2SB1182	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	MediumpowerTransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：39.98 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor ■Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V ●Complementaryto2SD1758	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1182	文件：1.13367 Mbytes Page：5 Pages	PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PbLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SB1182	文件：757.83 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1758. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：329.06 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Smallandslimpackage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：176.71 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor FEATURES ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1758 APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
2SB1182	文件：166.54 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1182	文件：116.67 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：1.36409 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2L(4R)Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerDissipation	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SB1182	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	MediumpowerTransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182	文件：153.4 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(-32V,-2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182D	文件：263.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES The2SB1182DXisdesignedformediumpoweramplifierapplication Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(Typ.) RoHSCompliantProduct	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1182P	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUMPOWERTRANSISTOR(-32V,-2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1182-P	文件：441.89 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ●LowCollectorSaturationVoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
2SB1182-P	文件：509.7 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司

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晶体管资料

型号：
2SB1182(F5)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_输出极（E）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1241,2SB838,2SB1201,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	2SB1182(TO-252-2L180-390R档)	JCET	21+		50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SB1182(TO-252-2L180-390R档)	JCET	21+		30000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多2SB1182(F5)供应商更新时间2024-4-28 13:00:00

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