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2SB1219	文件：62.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SD1820 and 2SD1820A ■ Features • Large collector current IC • S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 文件：62.38 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1219	文件：46.2 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Type ■ Features ● Large collector current IC ● Complementary to 2SD1820 文件：46.2 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1219	文件：760.18 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：760.18 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1219	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1219A	文件：46.21 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Epitaxial Planar Type ■ Features ● Large collector current IC ● Complementary to 2SD1820A 文件：46.21 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1219A	文件：62.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SD1820 and 2SD1820A ■ Features • Large collector current IC • S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 文件：62.38 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1219_15	文件：760.18 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：760.18 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1219A	文件：1.05315 Mbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：1.05315 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1219A_15	文件：1.05315 Mbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：1.05315 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1219A-Q	文件：1.05315 Mbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：1.05315 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SB1219
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1577,2SA1588,2SA1745,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
0.5
wtest：
0.2

技术参数

集电极电流(Ic)：
500mA
集射极击穿电压(Vceo)：
50V
功率(Pd)：
150mW
特征频率(fT)：
200MHz
集电极截止电流(Icbo)：
100nA

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