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2SB1160	文件：162.97 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SD1715 • High fT • Satisfactory linearity of hFE • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For high power amplifier applications 文件：162.97 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1160	文件：192.93 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SD1715 • High fT • Satisfactory linearity of hFE • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For high power amplifier applications 文件：192.93 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1160	文件：127.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo=-150V(Min) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD1715 APPLICATIONS • Designed for high power amplifier applications 文件：127.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1160	文件：160.93 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SD1715 • High fT • Satisfactory linearity of hFE • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For high power amplifier applications 文件：160.93 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1160	文件：162.63 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：162.63 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1160_15	文件：192.93 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：192.93 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1160_2014	文件：192.93 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：192.93 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB1160
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
9A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD246D,2SA1186,2SA1227,2SA1386,2SB1361,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
150
htest：
20000000
atest：
9
wtest：
100

详细参数

型号：
2SB1160
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
Silicon PNP Power Transistors

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