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2SB1155	文件：61.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Silicon PNP epitaxial planar type For power switching Complementary to 2SD1706 ■ Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE ● Large collector current IC ● Full-pack package which can be installed to the heat 文件：61.08 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1155	文件：174.44 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：174.44 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB1155	文件：166.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SD1706 • Low collector saturation voltage • Satisfactory linearity of hFE APPLICATIONS • For power switching applications 文件：166.42 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1155	文件：133.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -7A • Complement to Type 2SD1706 APPLICATIONS • Designed for power switching applications 文件：133.71 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1155	文件：148.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SD1706 • Low collector saturation voltage • Satisfactory linearity of hFE APPLICATIONS • For power switching applications 文件：148.28 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1155	文件：203.33 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SD1706 • Low collector saturation voltage • Satisfactory linearity of hFE APPLICATIONS • For power switching applications 文件：203.33 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1155	文件：150 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1155	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1155_15	文件：203.33 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：203.33 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1155_2014	文件：203.33 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：203.33 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB1155
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
25MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD746D,2SA1227,2SA1386,2SB1371,2SB1860,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
130
htest：
25000000
atest：
15
wtest：
80

详细参数

型号：
2SB1155
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1155供应商更新时间2026-6-2 10:21:00

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