2SB1135数据表ic资料供应商报价三洋SANYO-114ic电子网

首页 >2SB113>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SB1130AM	文件：40.05 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor Features 1) High breakdwon voltage: BVCEO = -160V. 2) High transition frequency. 3) Small output capacitance. 4) Complementary pair with 2SD1665AM. 文件：40.05 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1131	文件：84.14 Kbytes Page：3 Pages	Strobe,High-Current Switching Applications Applications 1. Strobes, power supplies, relay drivers, lamp drivers. Features 1. Adoption of FBET, MBIT processes. 2. Low saturation voltage. 3. Large current capacity. 4. Fast switching time. 文件：84.14 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1132	文件：59.18 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) 文件：59.18 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132	文件：348.95 Kbytes Page：5 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors PNP Plastic-Encapsulate Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：348.95 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1132	文件：128.6 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：128.6 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1132	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Transistor (-32V,??1A) Medium Power Transistor (-32V, -1A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= -0.2V(Typ.) (IC / IB = -500mA / -50mA) 2) Compliments 2SD1664 / 2SD1858 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：179.26 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1132	文件：350.94 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES • Low VCE(sat): -0.2V(Typ) IC/IB=-500mA/-50mA • Compliments 2SD1664 文件：350.94 Kbytes 页数：3 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB1132	文件：352.68 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor Features ● Low VCE(sat) ● Compliments to 2SD1664 文件：352.68 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1132	文件：162.61 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor FEATURES • Low power dissipation 0.5W 文件：162.61 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1132	文件：506.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAP；Package：SOT-89；PNP General Purpose Amplifier FEATURES Low VCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA). Complementary NPN type available 2SD1664. APPLICATIONS This device is designed as a general purpose amplifier and switching. 文件：506.45 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
2SB1135
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1442,2SA1470,2SB945,2SB1018,2SB1019,2SB1290,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
10000000
atest：
7
wtest：
30

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@0.4A@4AV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1135		24+	TO-220F	10000	全新	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SB1135	SAN	24+	原厂封装	3500	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1135	SANYO/三洋	22+	TO-220F	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SB1135	SANYO	25+	TO-TO-220F	37650	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市恒创达实业有限公司	2SB1135S	SANYO	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市宝芯创电子有限公司	2SB1135R	SANYO/三洋	15+	TO220F	29977	进口盒袋现货/2K	询价
深圳市纳立科技有限公司	2SB1135R		三年内		1983	只做原装正品	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	2SB1135S	SANYO/三洋	2447	TO-220	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SB1135-R	SANYO/三洋	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1135-R	SANYO/三洋	23+	TO-TO-220F	37650	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价

更多2SB113供应商更新时间2025-12-24 16:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号