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2SB1133	文件：250.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Complement to type 2SD1666 • Low collector saturation voltage • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For low-frequency and general-purpose amplifier applications 文件：250.52 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1133	文件：69.91 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT 文件：69.91 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SB1134	文件：123.17 Kbytes Page：4 Pages	50V/5A Switching Applications Applications 1. Relay drivers, high-speed inverters, and other general high-current switching applications. 文件：123.17 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1135	文件：106.66 Kbytes Page：4 Pages	50V/7A Switching Applications Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications. Features · Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)=–0.4V max. · Wide ASO leading to high resistance to breakdown. · Micaless package facilitating mounting. 文件：106.66 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1135	文件：99.78 Kbytes Page：3 Pages	50V/7A Switching Applications 50V/7A switching application Features 1. Low-saturation collector-to-emitter voltage : Vce(sat) = -0.4V max 2. Wide ASO leading to high resistance to breakdown. 3. Micaless package facilitating mounting. 文件：99.78 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1135_V01	文件：106.66 Kbytes Page：4 Pages	50V/7A Switching Applications Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications. Features · Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)=–0.4V max. · Wide ASO leading to high resistance to breakdown. · Micaless package facilitating mounting. 文件：106.66 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1136	文件：102.21 Kbytes Page：3 Pages	50V/12A Switching Applications Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other genral high-current switching applications. Features · Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)=–0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max. · Wide ASO leading to high resistance to breakdown. · Micaless package 文件：102.21 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1132	文件：173.84 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：173.84 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132	文件：179.26 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Transistor (-32V, -1A) 文件：179.26 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1132	文件：79.9 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Transistor (−32V,−1A) 文件：79.9 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
2SB1135
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1442,2SA1470,2SB945,2SB1018,2SB1019,2SB1290,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
10000000
atest：
7
wtest：
30

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@0.4A@4AV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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更多2SB113供应商更新时间2025-12-24 16:01:00

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