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2SB1132G-X-TN3-R	文件：205.47 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：205.47 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
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2SB1132L-X-TN3-R	文件：205.47 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：205.47 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132L-X-TN3-T	文件：173.84 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：173.84 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1132P	文件：463.31 Kbytes Page：6 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：463.31 Kbytes 页数：6 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
2SB1132-P	文件：542.22 Kbytes Page：4 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：542.22 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
2SB1132-P	文件：798.72 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BAP*；Package：SOT-89；PNP Transistors 文件：798.72 Kbytes 页数：4 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

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晶体管资料

型号：
2SB1135
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1442,2SA1470,2SB945,2SB1018,2SB1019,2SB1290,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
10000000
atest：
7
wtest：
30

技术参数

Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@0.4A@4AV
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市弘为电子有限公司	2SB1135	SAN	24+	原厂封装	3500	原装现货假一罚十	询价
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更多2SB113供应商更新时间2025-12-24 16:01:00

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