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2SB1119	文件：85.62 Kbytes Page：3 Pages	LF Amp,Electronic Governor Applications LF Amplifier, Electronic Governor Applications Features · Very small size making it easy to provide high density, small-sized hybrid IC’s. 文件：85.62 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1119	文件：215.76 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BB；Package：SOT-89；PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors FEATURES ● Very small size making it easy to provide High-density,small-size hybrid IC’s. 文件：215.76 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SB1119	文件：189.84 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Small Flat Package ● LF Amplifier, Electronic Governor Applications 文件：189.84 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB1119	文件：1.16262 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ● Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. 文件：1.16262 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1119	文件：51.36 Kbytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Features ● Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s. 文件：51.36 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1119	文件：140.93 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor FEATURES Power dissipation PCM : 500mW˄ Tamb=25°C Collector current ICM : -1 A Collector-base voltage VB(BR)CBO : -25 V Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg: -55ć to +150ć 文件：140.93 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1119	文件：287.87 Kbytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Features Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s. 文件：287.87 Kbytes 页数：1 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB1119	文件：113.54 Kbytes Page：2 Pages	Very small size making it easy to provide FEATURES • Very small size making it easy to provide • High-density,small-size hybrid ICS 文件：113.54 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
2SB1119	文件：184.56 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Very small size making it easy to provide • High-density,small-size hybrid IC,S 文件：184.56 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SB1119	文件：64.25 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector current (Pulse) ICP: -2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -25 V Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.25 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
1
VCBO(V)：
25
VCEO(V)：
25
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
560
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.05
VCE(sat)(V)：
0.7
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-89

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更多2SB1119供应商更新时间2025-12-2 14:01:00

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