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2SB1151	文件：150.06 Kbytes Page：2 Pages	Low Collector Saturation Voltage SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：150.06 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1151	文件：114.54 Kbytes Page：4 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT FEATURES High Power Dissipation : PD=1.5W(Ta=25℃) Complementary to 2SD1691. 文件：114.54 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1151	文件：194.14 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1691 ·Low saturation voltage ·Large current ·High total power dissipation:PT=1.3W ·Large current capability and wide SOA APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor 文件：194.14 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1151	文件：224.59 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1691 ·Low saturation voltage ·Large current ·High total power dissipation:PT=1.3W ·Large current capability and wide SOA APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor 文件：224.59 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1151	文件：174.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1691 ·Low saturation voltage ·Large current ·High total power dissipation:PT=1.3W ·Large current capability and wide SOA APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor 文件：174.32 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1151	文件：59.69 Kbytes Page：1 Pages	It is intented for use in power amplifier and switching applications. DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：59.69 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SB1151	文件：78.64 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Ttransistors DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：78.64 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SB1151	文件：135.89 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：135.89 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1151	文件：176 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：176 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1151	文件：304.07 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：304.07 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
2SB1151
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB933,2SB1165,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
20

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-60
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC (A) @25 °C：
-5
VCE(sat) (V) max.：
-0.3
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
20
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL

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