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2SB1150	文件：146.04 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SB1150isadarlingtontransistorbuilt-inazenerdiodeatB-CandadumperdiodeatE-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerdriver.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SB1151	文件：150.06 Kbytes Page：2 Pages	Low Collector Saturation Voltage SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SB1151	文件：114.54 Kbytes Page：4 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) Complementaryto2SD1691.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1151	文件：174.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1151	文件：224.59 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SB1151	文件：59.69 Kbytes Page：1 Pages	It is intented for use in power amplifier and switching applications. DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
2SB1151	文件：194.14 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1151	文件：78.64 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Ttransistors DESCRIPTION Itisintentedforuseinpower amplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
2SB1151L-T60-T	文件：114.54 Kbytes Page：4 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) Complementaryto2SD1691.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1151-T60-T	文件：114.54 Kbytes Page：4 Pages	LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) Complementaryto2SD1691.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1154	文件：61.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Forpowerswitching Complementaryto2SD1705 ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●SatisfactorylinearityoffowardcurrenttransferratiohFE ●LargecollectorcurrentIC ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescre	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SB1154	文件：212.27 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1705 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SB1154	文件：151.78 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1705 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1154	文件：169.2 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PFapackage ·Complementtotype2SD1705 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS ·Forpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1155	文件：61.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) SiliconPNPepitaxialplanartype Forpowerswitching Complementaryto2SD1706 ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat) ●SatisfactorylinearityoffowardcurrenttransferratiohFE ●LargecollectorcurrentIC ●Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheat	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SB1155	文件：174.44 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SB1155	文件：148.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1706 •Lowcollectorsaturationvoltage •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forpowerswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1155	文件：203.33 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1706 •Lowcollectorsaturationvoltage •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forpowerswitchingapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SB1155	文件：166.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD1706 •Lowcollectorsaturationvoltage •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forpowerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1155	文件：133.71 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-80V(Min) •GoodLinearityofhFE •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-7A •ComplementtoType2SD1706 APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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晶体管资料

型号：
2SB1151
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB933,2SB1165,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
20

详细参数

型号：
2SB115
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB115供应商更新时间2024-4-26 12:45:00

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