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2SB1122	文件：81.28 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -50V, -1A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Bipolar Transistor –50V, –1A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET process • Ultrasmall size making it easy to provide high-density hybrid IC’s Applicaitons • Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipment 文件：81.28 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1122	文件：117.48 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency Power Amp Applications? Low-Frequency Power Amplifier Applications Features • Adoption of FBET process. • Very small size making it easy to provide highdensity hybrid IC’s. Applications • Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. 文件：117.48 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1122	文件：58.39 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors ■ Features ● Very small size making it easy to provide high highdensity, small-sized hybrid IC’s. ● Complementary to 2SD1622 文件：58.39 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1122	文件：110.55 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications 文件：110.55 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1122	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，-50V，-1A，低饱和压，PNP 单 PCP The 2SB1122 is Bipolar Transistor, -50V, -1A, Low VCE(sat) PNP Single PCP for low-frequency power amplifier applications. • Adoption of FBET processes\n• Ultrasmall size making it easy to provide high-density hybrid ICs;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1122-D	文件：94.91 Kbytes Page：5 Pages	Low-Frequency Power Amplifier Applications Low-Frequency Power Amplifier Applications Features • Adoption of FBET process. • Very small size making it easy to provide highdensity hybrid IC’s. Applications • Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipment. 文件：94.91 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1122S-TD-E	文件：81.28 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -50V, -1A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Bipolar Transistor –50V, –1A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET process • Ultrasmall size making it easy to provide high-density hybrid IC’s Applicaitons • Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipment 文件：81.28 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1122T-TD-E	文件：81.28 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -50V, -1A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Bipolar Transistor –50V, –1A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of FBET process • Ultrasmall size making it easy to provide high-density hybrid IC’s Applicaitons • Voltage regulators relay drivers, lamp drivers, electrical equipment 文件：81.28 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1122_11	文件：110.55 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Low-Frequency Power Amplifier Applications 文件：110.55 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1122_15	文件：1.57339 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.57339 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SB1122
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX52,BCX53,2SA1201,2SA1364,2SB766A,2SB1002,2SB1115,2SB1115A,2SB1260,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
PTM Max (W)：
1.3
Package Type：
SOT-89/PCP-1

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