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2SB1101中文资料PDF规格书

2SB1101
厂商型号

2SB1101

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

186.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 22:48:00

晶体管资料

  • 型号:

    2SB1101

  • 别名:

    2SB1101三极管、2SB1101晶体管、2SB1101晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD716,BD718,BDW54A,BDW54B,BDW54C,BDW54D,BDW64B,BDW64C,BDW64D,2SB676,2SB880,2SB950,2SB1341,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

2SB1101规格书详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEo= -60V(Min)

• High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A)

• Complement to Type 2SD1601

APPLICATIONS

• Designed for low frequency power amplifiers applications.

产品属性

  • 型号:

    2SB1101

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon PNP Power Transistors

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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