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2SB1110	文件：389.68 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL (LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER) COMPLEMENTARY PAIR 2SD1609 and 2SD1610 (NPN) 文件：389.68 Kbytes 页数：2 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB1114	文件：209.26 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1114 is designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● High DC Current Gain hFE = 135 to 600 ● Low VCE(sat). VCE(sat) = - 0.3 V at 1.5 A ● Complement to 2SD1614 文件：209.26 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1114	文件：51.22 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High Dc current gain hFE=135 to 600 ● Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.3V at 1.5A ● Complementary to 2SD1614 文件：51.22 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114	文件：873.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon General USE Transistors PNP-Silicon General use Transistors 1W 、 1.5A、 25V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. 文件：873.2 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1115	文件：631.29 Kbytes Page：1 Pages	World standard miniature package FEATURES World Standard Miniature Package Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2V at 1 A 文件：631.29 Kbytes 页数：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1115	文件：51.25 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A ● Complementary to 2SD1615 文件：51.25 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115	文件：228.4 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1115, 2SB1115A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuit. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2 V at 1 A ● Complement to 2SD1615, 2SD1615A 文件：228.4 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1115A	文件：228.4 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1115, 2SB1115A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuit. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2 V at 1 A ● Complement to 2SD1615, 2SD1615A 文件：228.4 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1115A	文件：51.15 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● World standard miniature package. ● Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.2V at 1A 文件：51.15 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1116	文件：1.041 Mbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES • High Collector Power Dissipation. • Complementary to 2SD1616/2SD1616A 文件：1.041 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

晶体管资料

型号：
2SB1115A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1520,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
80
htest：
80000100
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-60
IC @25 °C (A)：
-1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-600
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
25

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