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2SB1114	文件：209.26 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1114 is designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● High DC Current Gain hFE = 135 to 600 ● Low VCE(sat). VCE(sat) = - 0.3 V at 1.5 A ● Complement to 2SD1614 文件：209.26 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1114	文件：51.22 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High Dc current gain hFE=135 to 600 ● Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.3V at 1.5A ● Complementary to 2SD1614 文件：51.22 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114	文件：873.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon General USE Transistors PNP-Silicon General use Transistors 1W 、 1.5A、 25V Applications： Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. 文件：873.2 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB1114	文件：1.27796 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents 文件：1.27796 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1114	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SB1114_15	文件：1.27796 Mbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD 文件：1.27796 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1114_15	文件：1.1251 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.1251 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-HF_15	文件：1.11935 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.11935 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-K	文件：1.1251 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.1251 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-K-HF	文件：1.11935 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.11935 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SB1114
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1203,2SA1213,2SA1314,2SA1369,2SB956,2SB1001,2SB1122,2SB1188,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
20
htest：
180000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-20
IC @25 °C (A)：
-2
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
135-600
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.18
Cob (Typical) (pF)：
60

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更多2SB1114供应商更新时间2026-1-17 17:11:00

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