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2SB1119	文件：64.25 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector current (Pulse) ICP: -2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -25 V Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：64.25 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SB1113	文件：256.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor 文件：256.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1114	文件：1.27796 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents 文件：1.27796 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1114_15	文件：1.27796 Mbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD 文件：1.27796 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1114_15	文件：1.1251 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.1251 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-HF_15	文件：1.11935 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.11935 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-K	文件：1.1251 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.1251 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-K-HF	文件：1.11935 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.11935 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-L	文件：1.1251 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.1251 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1114-L-H	文件：1.11935 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.11935 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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晶体管资料

型号：
2SB1115A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1520,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
80
htest：
80000100
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-60
IC @25 °C (A)：
-1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-600
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB111供应商更新时间2026-4-22 16:30:00

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