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2SB1115A	文件：51.15 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor Features ● World standard miniature package. ● Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.2V at 1A 文件：51.15 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115A	文件：228.4 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SB1115, 2SB1115A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuit. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2 V at 1 A ● Complement to 2SD1615, 2SD1615A 文件：228.4 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB1115A	文件：1.34291 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents 文件：1.34291 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB1115A_15	文件：1.23801 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.23801 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115A-HF_15	文件：1.25051 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.25051 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115A-P	文件：1.23801 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.23801 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115A-P-HF	文件：1.25051 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.25051 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115A-Q	文件：1.23801 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.23801 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115A-Q-HF	文件：1.25051 Mbytes Page：3 Pages	PNP Transistors 文件：1.25051 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1115A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SB1115A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1520,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
80
htest：
80000100
atest：
1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-60
IC @25 °C (A)：
-1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
135-600
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
25

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