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2SB1103	文件：131.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：131.42 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1103	文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：158.19 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1103	文件：99.92 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：99.92 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1105	文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：153.64 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1105	文件：186.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5 • Complement to Type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：186.91 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1105	文件：129.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：129.81 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1105	文件：96.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：96.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1106	文件：129.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：129.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1106	文件：161.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：161.52 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1106	文件：97.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：97.17 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SB1103
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD646,BD898,BDW74A,BDX54A,2SB675,2SB882,2SB951,2SB1343,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
40

详细参数

型号：
2SB110
制造商：
SAVANTIC
制造商全称：
Savantic, Inc.
功能描述：
Silicon PNP Power Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1103		24+		30000		询价
深圳市利加科技有限公司	2SB1103	HIT	16+	TO-220	100000	全新原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1103	HITACHI/日立	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1105	HITACHI/日立	23+	TO-220F	62776	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	2SB1109	HIT	23+	TO-126	5000	专做原装正品,假一罚百!	询价
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更多2SB110供应商更新时间2025-12-21 16:30:00

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