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2SB1103	文件：131.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：131.42 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1103	文件：158.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：158.19 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1103	文件：99.92 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC durrent gain ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD1603 APPLICATIONS ·Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：99.92 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1105	文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：153.64 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1105	文件：186.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5 • Complement to Type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：186.91 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1105	文件：129.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：129.81 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1105	文件：96.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：96.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1106	文件：129.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：129.8 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1106	文件：161.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：161.52 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1106	文件：97.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1606 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：97.17 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SB1109
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_视频输出（Vid）_功率放大
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF416,BF418,BF457,2SA914,2SA1209,2SA1352,2SA1380,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
160
htest：
140000000
atest：
0.1
wtest：
0

详细参数

型号：
2SB110
制造商：
Hitachi
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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