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2SB1105	文件：129.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：129.81 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1105	文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：153.64 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1105	文件：186.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -1.5 • Complement to Type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifiers applications. 文件：186.91 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1105	文件：96.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC durrent gain • Complement to type 2SD1605 APPLICATIONS • Designed for use in low frequency power amplifier applications 文件：96.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1105	文件：98.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：98.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1105_15	文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：153.64 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1105_2014	文件：153.64 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：153.64 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

详细参数

型号：
2SB1105
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -120V -3A 30W BCE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SB1105		24+	TO-220	10000	全新	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1105	HITACHI/日立	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多2SB1105供应商更新时间2025-12-8 10:20:00

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