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2SA1943	文件：215.59 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Applications •High-FidelityAudioOutputAmplifier •GeneralPurposePowerAmplifier Features •HighCurrentCapability:IC=-15A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-230V •WideS.O.Aforreliableoperation. •Ex	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SA1943	文件：142.95 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1943	文件：151.62 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighCurrentCapability •HighPowerDissipation •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-230V(Min) •ComplementtoType2SC5200 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1943	文件：139.7 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1943	文件：203.71 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SC5200 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SA1943	文件：188.19 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SA1943	文件：302.86 Kbytes Page：2 Pages	TOSHIBATRANSISTORSILICONPNPTRIPLEDIFFUSEDTYPE DESCRIPTION •HighCurrentCapability •HighPowerDissipation •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-230V(Min) •ComplementtoType2SC5200 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstageapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA1943	文件：148.91 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Highcollectorvoltage:VCEO=−230V(min) •Complementaryto2SC5200 •Recommendedfor100-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1943	文件：221.45 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SC5200 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SA1943	文件：287.71 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PLpackage •Complementtotype2SC5200 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendedfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SA1943	文件：203.71 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SA1943	文件：1.04355 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-3PPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-3PPlasticPackage. Features Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage,Complementaryto2SC5200. Applications Poweramplifierapplications	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1943	文件：227.39 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarPNPPowerTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SA1943	文件：81.87 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA1943	文件：501.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerAmplifierApplications FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=230V(min)VCEO=250V(min) ●Complementaryto2SC5200 ●Recommendedfor100Waudiofrequencyamplifieroutput ●RoHSproduct APPLICATIONS ●PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
2SA1943	文件：420.29 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighCollectorCurrentCapability ●HighPowerDissipation ●HighFrequency ●HighVoltage ●Complementto2SC5200 APPLICATIONS ●High-FidelityAudioOutputAmplifier ●GeneralPurposePowerAmplifier	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SA1943	文件：247.8 Kbytes Page：7 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1943	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1943	文件：112.41 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES ComplementarytoUTC2SC5200 Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequencyAmplifierOutputStage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SA1943	文件：290.61 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-300V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=-3.0V(Max)@IC=-8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1943-O/Q供应商更新时间2024-5-13 11:35:00

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