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2N7002KTB6	文件：150.91 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002KU	文件：689.54 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET Description Itutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievethehighcelldensityandreducestheon-resistancewithhighrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinpowerswitchingapplicationandawideva	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
2N7002KU	文件：370.33 Kbytes Page：4 Pages	N Channel MOSFET INTERFACEANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ESDProtected2000V.(HumanBodyModel) •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). •Voltagecontrolledsmallsignalswitch. •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)2N7002KU-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N7002KV	文件：425.76 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features •HighdensitycelldesignforLowRDS(ON) •Voltagecontrolledsmallsignalswitch •Ruggedandreliable •Highsaturationcurrentcapability •ESDprotectedupto2KV •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequest	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002KV	文件：1.1607 Mbytes Page：4 Pages	丝印：72K；Package：SOT-563；Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE HighdensitycelldesignforLowRDS(on) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability ESDprotected APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2N7002KV	文件：701.39 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=0.3A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
2N7002KW	文件：170.76 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays Drivers	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002KW	文件：533.04 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K72；Package：SOT-323；N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems, Solid-StateRelaysDriver	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002KW	文件：624.98 Kbytes Page：6 Pages	丝印：72K；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary ●VDS60V ●ID340mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
2N7002KW	文件：291.95 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •PbFree/RoHSCompliant •ESDHBM=1000VasperJESD22A114andESDCDM=1500VasperJESD22C101	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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