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2N7002KFN3	文件：136.33 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems,Solid-StateRelays Drivers	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002KG	文件：680.74 Kbytes Page：5 Pages	N-Ch Small Signal MOSFET with Gate Protection FEATURES z2kVESDProtection zLowerOn-resistance:2Ω zLowThreshold:2V(Typ.) zLowInputCapacitance:25pF zFastSwitchingPerformance:25nS zLowInputandOutputLeakage APPLICATIONS zDirectLogic-LevelInterface:TTL/CMOS zDrivers:Relays,Solenoi	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002KG8	文件：573.13 Kbytes Page：5 Pages	60V MOSFET Description Itutilizesthelatesttrenchprocessingtechniquestoachievethehighcelldensityandreducestheon-resistancewithhighrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinpowerswitchingapplicationanda	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
2N7002KG-AE2-R	文件：164.63 Kbytes Page：3 Pages	300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002KusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF) ESDProt	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002K-HF	文件：129.61 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET RoHSDevice N-Channel HalogenFree Features -SmallSignalMOSFET. -ESDprotected:1000V.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002KL-AE2-R	文件：164.63 Kbytes Page：3 Pages	300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002KusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF) ESDProt	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002KM	文件：198.59 Kbytes Page：3 Pages	丝印：72K；Package：SOT-723；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features •LowonresistanceRDS(ON) •Lowgatethresholdvoltage •Lowinputcapacitance •ESDprotectedupto2KV	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
2N7002KM	文件：1.85739 Mbytes Page：5 Pages	丝印：RK；Package：SOT-723；N-Channel Mosfet Application ®Load/PowerSwitching ®InterfacingSwitching ©LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N7002KM	文件：520.77 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET Features •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON) •Voltagecontrolledsmallsignalswitch •Ruggedandreliable •ESDProtectedupto2.5KV(HBM) •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002KQ	文件：1.04155 Mbytes Page：6 Pages	丝印：72K；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary ●VDS60V ●ID340mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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