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2N7002KW中文资料喜可士数据手册PDF规格书

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厂商型号

2N7002KW

功能描述

N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection

丝印标识

K72

封装外壳

SOT-323

文件大小

533.04 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

SECOS

中文名称

喜可士

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数据手册

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更新时间

2025-10-17 16:31:00

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2N7002KW规格书详情

FEATURES

• RDS(ON), VGS@10V, IDS@500mA=3Ω

• RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@200mA=4Ω

• Advanced Trench Process Technology

• High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

• Very Low Leakage Current In Off Condition

• Specially Designed for Battery Operated Systems,

Solid-State Relays Drivers: Relays, Displays, Lamps,

Solenoids, Memories, etc.

• ESD Protected 2KV HBM

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

产品属性

  • 型号:

    2N7002KW

  • 功能描述:

    MOSFET NCHAN Enhance MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONN
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