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2N7002BKS_V01	文件：298.18 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technolog 文件：298.18 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKT	文件：460.37 Kbytes Page：17 Pages	丝印：Z3；Package：SOT416；60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ESD prote 文件：460.37 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKT	文件：361.32 Kbytes Page：16 Pages	丝印：Z3；Package：SOT-416；60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFETtechnology E 文件：361.32 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKV	文件：379.26 Kbytes Page：16 Pages	丝印：ZG；Package：SOT-666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFETtechnology 文件：379.26 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKV	文件：281.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ZG；Package：SOT666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ESD 文件：281.69 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKV	文件：945.69 Kbytes Page：3 Pages	60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ● Fast switching ● Green Device Available ● Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：945.69 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
2N7002BKW	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	丝印：X9；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ESD 文件：286.36 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKW	文件：164.5 Kbytes Page：16 Pages	丝印：X9-；Package：SOT-323；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFETtechnology E 文件：164.5 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKW	文件：724.88 Kbytes Page：16 Pages	丝印：X9；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ESD pro 文件：724.88 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKW_V01	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ESD 文件：286.36 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
0.115
PD Max (W)：
0.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
7500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1
Ciss Typ (pF)：
20
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市锦达世纪科技有限公司	2N7002	恩XP	15+	SOT23	30000	全新原装	询价
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深圳市益中天科技发展有限公司	2N7002	ON	17+18+	SOT23	488459	原厂原装,本地现货库存,假一罚十!	询价
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深圳市纳立科技有限公司	2N7002	ON-SEMI	22+	N/A	9000	原装正品香港现货	询价
深圳市华高宇电子有限公司	2N7002	恩XP	1118	SOT236	340	现货库存,有单来谈	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	2N7002	恩XP	25+		7589	全新原装现货,支持排单订货,可含税开票	询价
深圳诚思涵科技有限公司	2N7002	恩XP	16+	SOT23	12350	进口原装现货/价格优势!	询价

更多2N7002供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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