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2N7002BKW_V01	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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2N7002BKW_V01

文件：286.36 Kbytes

Page：15 Pages

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD

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更多2N7002BKW_V01供应商更新时间2025-7-26 13:01:00

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