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2N7002BKW_V01	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ESD 文件：286.36 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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更多2N7002BKW_V01供应商更新时间2025-12-1 13:01:00