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EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=160V, VCEO=140V • Low Leakage Current. : ICBO=100nA(Max.) VCB=100V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.25V(Max.) IC=50mA, IB=5mA • Low Noise : NF=10dB (Max.) 文件：152.53 Kbytes 页数：2 Pages | KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司 | KEC | ||
丝印：2N5550；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Switching and mplification in igh oltage Applications such as elephony Low urrent(ax. 600mA) High oltage(ax.160V) 文件：1.72509 Mbytes 页数：5 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | DGNJDZ | ||
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR( NPN ) Features ● General Purpose Switching Application 文件：2.695 Mbytes 页数：4 Pages | HDSEMI 海德半导体 | HDSEMI | ||
TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● General Purpose Switching Application 文件：142.18 Kbytes 页数：3 Pages | FS | FS | ||
NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES * Switching and amplification in high voltage * Low current(max. 600mA) * High voltage(max.180v) 文件：207.83 Kbytes 页数：2 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS | ||
Small Signal High Voltage Transistor (NPN) Features • High Voltage NPN Transistor for General Purpose and Telephony Applications 文件：155.74 Kbytes 页数：4 Pages | TAITRON | TAITRON | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The 2N5551 is designed for amplifier transistor. Features • Complements to PNP Type 2N5401. • High Collector-Emitter Breakdown Voltage. VCEO>160V (@IC=1mA) 文件：51.04 Kbytes 页数：3 Pages | TGS | TGS | ||
NPN Transistor Bare Die General purpose high voltage amplifier or switch in bare die form Features High Collector Breakdown Voltage Low Collector Saturation Voltage Charac terized at temperature extremes High R eliability Gold Back Metal High Reliability tested grades for Military + Space 文件：1.03569 Mbytes 页数：4 Pages | SS | SS | ||
General Purpose Switching Application NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors ST 2N5400 and ST 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 文件：2.55967 Mbytes 页数：2 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | DGNJDZ | ||
丝印：2N5551；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features General Purpose Switching Application 文件：1.44581 Mbytes 页数：5 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | DGNJDZ |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
>250MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BFX94A,BFX95A,BSW63,BSW64,BSW84,BSW85,2N2220A,2N2221A,2N2222A,3DK102B,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍数：
β>100
- 图片代号：
D-8
- vtest：
60
- htest：
250000100
- atest：
0.8
- wtest：
0.5
产品属性
- 产品编号：
2N5582
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AB，TO-46-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-46-3
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
CAN |
7000 |
询价 | ||||
MOT |
24+ |
CAN3 |
4231 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
38500 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
CAN |
200 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | |||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
CAN |
1696 |
专营铁帽CANCDIP |
询价 | |||
2000 |
100 |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MOT |
24+ |
CAN3 |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
MOT |
25+ |
TO-46 |
50 |
普通 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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