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2N5550	文件：1.72509 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N5550；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Switching and mplification in igh oltage Applications such as elephony Low urrent(ax. 600mA) High oltage(ax.160V) 文件：1.72509 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2N5550-TA	文件：1.72509 Mbytes Page：5 Pages	丝印：2N5550；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Switching and mplification in igh oltage Applications such as elephony Low urrent(ax. 600mA) High oltage(ax.160V) 文件：1.72509 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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2N5550S	文件：1.21154 Mbytes Page：5 Pages	丝印：F0；Package：SOT-23；High Voltage Transistors High Voltage Transistors FEATURE • Pb-Free package is available. 文件：1.21154 Mbytes 页数：5 Pages	FS	FS
2N5550	文件：59.52 Kbytes Page：7 Pages	NPN high-voltage transistors FEATURES · Low current (max. 300 mA) · High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS · Switching and amplification in high voltage applications such as telephony. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: 2N5400 and 2N5401. 文件：59.52 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
2N5550	文件：188.13 Kbytes Page：6 Pages	mplifier Transistors(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：188.13 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5550	文件：43.92 Kbytes Page：8 Pages	NPN high-voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: 2N5400 and 2N5401. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • Switching and amplification in high voltage applications such as telephony. 文件：43.92 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2N5550	文件：33.73 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage : VCEO = 140V • Collector Dissipation : PC(max) = 625mW 文件：33.73 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
2N5550	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications???? NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications. 文件：131.37 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH

晶体管资料

型号：
2N5550
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DG84G,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-31
vtest：
160
htest：
100000100
atest：
0.6
wtest：
0.625

详细参数

型号：
2N5550
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5550供应商更新时间2026-3-9 23:00:00

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